Корзина
107 отзывов
Надежный продавец Prom.ua
+38(067)685-58-61
Контакты
"МастерСварка"
Наличие документов
Знак Наличие документов означает, что компания загрузила свидетельство о государственной регистрации для подтверждения своего юридического статуса компании или физического лица-предпринимателя.
+38067685-58-61Kyivstar
+38095542-69-00МТС
Павел Сергеевич
УкраинаДнепропетровская областьДнепр
Set_79
+38(067)685-58-61
+38(067)685-58-61

Сварочные инверторы MOSFET и IGBT. Основные различия

Сварочные инверторы MOSFET и IGBT. Основные различия

Сварочные инверторы MOSFET и IGBT. Основные различия

На данный момент инверторы ММА выпускаются по двум полупроводниковым технологиям на базе транзисторов IGBT или MOSFET. Основное различие между этими транзисторами – различный ток коммутации. Например для инвертора на 160А IGBT транзисторов понадобится 2-3 штуки, а MOSFET – 10-12 штук. Сильный нагрев транзисторов обуславливает необходимость установки мощных алюминиевых радиаторов, причем - чем больше площадь радиатора - тем выше его охлаждающая способность.
На практике схемотехника MOSFET не позволяет создать аппарат на одной плате: современные аппараты построены в основном на трех платах, тогда как IGBT аппараты всегда идут на одной плате.
Необходимость соединения трех плат, худший теплообмен, меньший КПД, каскадный выход из строя транзисторов при неисправности хотя бы одного из них - основные недостатки технологии MOSFET относительно IGBT.
Соответственно аппараты изготовленные по более современной технологии IGBT легче, меньше по размеру, более ремонтопригодны при сопоставимых технических параметрах. Кроме того меньшее количество плат и транзисторов по сравнению с MOSFET аппаратами позволяют зачастую существенно снизить цену аппарата.
Стоит признать также, что такие недостатки несравнимы с тем преимуществом которое получает пользователь отдав предпочтение инверторному сварочному аппарату (как MOSFET так и IGBT) перед трансформаторным сварочном. Также заметим что мощные промышленные сварочными пока изготавливаются с применением MOSFET технологии.

facebook twitter
Предыдущие статьи